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美媒:中國長鑫存儲已開始試產HBM3E 可能數周內大規模量產

署名 鉅亨網編譯陳韋廷

美國科技媒體《The Information》週一(8月31日)報導指出,長鑫存儲(CXMT)已經啟動HBM3E記憶體的風險試產工作。該記憶體廠商目前計畫擴大產能,預計到今年底DRAM產能將達到每月35萬片晶圓,未來幾年產能也將持續提高。 目前還不清楚長鑫存儲HBM3E的具體規格,但根據JEDEC...