DRAM微縮走到極限,三星、SK海力士、鎧俠掀3D記憶體堆疊大戰
機構署名 鉅亨網新聞中心
AI 算力需求推動記憶體產業轉型,DRAM 與 NAND 微縮逼近物理極限。三星、SK 海力士與鎧俠紛紛布局 3D DRAM、混合鍵合與超高層 NAND 技術,未來半導體競爭將從製程微縮轉向晶片堆疊與先進封裝。...
AI 算力需求推動記憶體產業轉型,DRAM 與 NAND 微縮逼近物理極限。三星、SK 海力士與鎧俠紛紛布局 3D DRAM、混合鍵合與超高層 NAND 技術,未來半導體競爭將從製程微縮轉向晶片堆疊與先進封裝。...