三星首創900層V-NAND「空中對接」 記憶體戰爭變天了

三星電子宣布完成全球首個 900 層 V-NAND 快閃記憶體原型開發，透過先進接合技術將兩片 450 層晶圓整合為單一元件，而非單純向上增加堆疊層數。隨著單層垂直堆疊逐漸逼近物理極限，NAND Flash 技術競賽也迎來轉折點，從過去比拚層數的「向上硬擠」，正式邁向多晶圓「空中對接」的新架構時代。...