鉅亨網韓媒：美光科技嘗試垂直堆疊GDDR 欲在標準GDDR與HBM之間開闢新路
署名 鉅亨網編譯陳韋廷
韓媒《ETNEWS》周一 (30 日) 報導指出，美光科技(MU-US) 正積極研發垂直堆疊 GDDR 新型記憶體產品，預計最早於 2027 年推出原型，此舉旨在標準 GDDR 與 HBM 之間開闢全新技術路線。儘管在 AI 記憶體領域的熱度不及 HBM，但 GDDR 憑藉在圖形 GPU 領域的深厚...
韓媒《ETNEWS》周一 (30 日) 報導指出，美光科技(MU-US) 正積極研發垂直堆疊 GDDR 新型記憶體產品，預計最早於 2027 年推出原型，此舉旨在標準 GDDR 與 HBM 之間開闢全新技術路線。儘管在 AI 記憶體領域的熱度不及 HBM，但 GDDR 憑藉在圖形 GPU 領域的深厚...