SK海力士宣布量產12層HBM3E 年底前提供給客戶
署名 鉅亨網記者魏志豪 台北
HBM 大廠 SK 海力士今 (26) 日宣佈,公司將率先量產 12 層 HBM3E,容量達 36GB,比上一代高出 50%,為現有 HBM 產品中容量最大的產品,且透過將單片 DRAM 晶圓薄度減少 40%,並採用矽穿孔技術 (TSV) 技術垂直堆疊,...
HBM 大廠 SK 海力士今 (26) 日宣佈,公司將率先量產 12 層 HBM3E,容量達 36GB,比上一代高出 50%,為現有 HBM 產品中容量最大的產品,且透過將單片 DRAM 晶圓薄度減少 40%,並採用矽穿孔技術 (TSV) 技術垂直堆疊,...