鉅亨網鴻海布局第四代半導體跨大步 攜陽明交大突破氧化鎵技術
署名 鉅亨網記者彭昱文 台北
鴻海 (2317-TW) 研究院半導體所，攜手陽明交大電子所，雙方研究團隊在第四代化合物半導體的關鍵技術上取得重大突破，研究成果提高了第四代半導體氧化鎵 (Ga2O3) 在高壓、高溫應用領域的高壓耐受性能。...
鴻海 (2317-TW) 研究院半導體所，攜手陽明交大電子所，雙方研究團隊在第四代化合物半導體的關鍵技術上取得重大突破，研究成果提高了第四代半導體氧化鎵 (Ga2O3) 在高壓、高溫應用領域的高壓耐受性能。...