鉅亨網〈華邦電展望〉20奈米DRAM良率進展優預期 可望提前半年量產
署名 鉅亨網記者林薏茹 台北
記憶體廠華邦電 (2344-TW)DRAM 新製程傳捷報，20 奈米良率遠優於預期，產能拉升速度也大幅超前預期半年，最快 7 月可望進入量產，華邦電為因應 20 奈米量產腳步接近，也將提高原規劃產能規模，高雄新廠年底前將從 1.4 萬片擴...
記憶體廠華邦電 (2344-TW)DRAM 新製程傳捷報，20 奈米良率遠優於預期，產能拉升速度也大幅超前預期半年，最快 7 月可望進入量產，華邦電為因應 20 奈米量產腳步接近，也將提高原規劃產能規模，高雄新廠年底前將從 1.4 萬片擴...