鉅亨網三星電子宣布量產236層堆疊第八代V-NAND 容量達1Tb
署名 鉅亨網編譯陳達誠
《韓聯社》報導，三星電子周一 (7 日) 宣布已展開第 8 代 NAND Flash 快閃記憶體、垂直 3D 架構的「V-NAND」量產。和現有的第 7 代產品 (176 層堆疊) 相比，其堆疊層數增加到 236 層，資料儲存容量達 1Tb，以量產產品而言是業界最高容量。 截至目前為止，堆疊層數最...
《韓聯社》報導，三星電子周一 (7 日) 宣布已展開第 8 代 NAND Flash 快閃記憶體、垂直 3D 架構的「V-NAND」量產。和現有的第 7 代產品 (176 層堆疊) 相比，其堆疊層數增加到 236 層，資料儲存容量達 1Tb，以量產產品而言是業界最高容量。 截至目前為止，堆疊層數最...