鉅亨網SK海力士成功研發176層堆疊4D NAND快閃記憶體
署名 鉅亨網編譯陳達誠
根據《韓聯社》週一 (7 日) 報導，南韓記憶體大廠 SK 海力士 (000660-KR) 週一 (7 日) 表示，該公司已於近期內成功研發出基於三層儲存單元 (Triple Level Cell，TLC) 的 176 層堆疊 512Gb NAND 快...
根據《韓聯社》週一 (7 日) 報導，南韓記憶體大廠 SK 海力士 (000660-KR) 週一 (7 日) 表示，該公司已於近期內成功研發出基於三層儲存單元 (Triple Level Cell，TLC) 的 176 層堆疊 512Gb NAND 快...