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台灣團隊突破二維半導體介面瓶頸 成果登國際頂尖期刊

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台灣團隊突破二維半導體介面瓶頸 成果登國際頂尖期刊(新聞配圖)
配圖來源:中央社

在國科會計畫支持下,台灣團隊針對二維半導體長期以來面臨的「介面問題」提出解決方案,成功開發出高效能的單層二硫化鉬(MoS2)頂閘極電晶體,這項突破性成果登上國際頂尖期刊「自然電子」(Nature Electronics)。...