ASML：EUV曝光層將增加 6年支出估雙位數複合成長

半導體微影技術領導廠艾司摩爾（ASML）今天表示，至2030年前客戶可能增加製程中極紫外光（EUV）曝光層，預期2025年至2030年高階邏輯和記憶體晶片的6年EUV技術支出，年複合成長率將達2位數百分比水準。...