東芝攻克 SiC MOSFET 電壓漂移，長期可靠性再提升

東芝持續推進碳化矽（SiC）功率半導體技術，宣布開發溝槽閘極（Trench-gate）SiC MOSFET 臨界電壓（Vth）漂移抑制技術，可將 Vth 漂移幅度降至市售溝槽閘極 SiC MOSFET 約 50%，提升元件長期可靠性，鎖定電動車、再生能源及資料中心電源等應用。...