利易達半導體設備進駐中科 強攻新世代微米曝光、光學檢測與磁浮傳送技術

為持續強化我國半導體產業關鍵設備之自主供應鏈，利易達半導體設備宣布正式投資約新台幣3,300萬元，進駐中部科學園區台中園區，主要發展項目涵蓋「新世代微米曝光設備」、「高能相干光源系統」及「磁浮傳送平台」等核心技術，為台灣半導體設備在地化與高階封裝製程注入強勁動能。 自主研發突破：兼顧高解析度與大面積先進封裝需求 利易達半導體設備總經理兼執行長邱俊榮表示，利易達在技術研發上展現優異實力，其自主研發的 12吋晶圓光罩對準機 具備高達 1微米（） 的解析度。 面對當前先進封裝技術對載具型態的多樣化需求，該設備能完美因應方形基板的生產挑戰，提供 毫米（mm） 的大面積曝光能力，充分滿足異質整合與高階封裝市場的發展趨勢。 創新光源技術：結合綠色節能與極紫外光應用 在永續發展與效能兼顧的考量下，邱俊榮表示利易達的曝光技術全面升級： • 綠色節能光源：採用 365奈米（nm）UV LED光源 取代傳統汞燈，大幅提升製程的節能環保效益。 • 高階相干光源整合：結合 極紫外光（EUV） 及 真空紫外光（VUV） 的相干光源系統，可應用於奈米級缺陷檢測與EUV光罩護膜（Pellicle）檢測。 磁浮